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集邦科技(DRAMeXchange)于今年台北国际电脑展(Computex Taipei 2009)举办研讨会，与来自二十多个国家的内存领导厂商及众多相关业界人士，分别就全球DRAM、NAND Flash产业以深入探讨。
集邦内存研究部副总杨雅欣(Joyce Yang)表示，受到2009下半年PC OEM厂商减少库存量，DRAM厂提高产能利用率的影响，市场会有价格方面的压力。预估2009年供应方面的位成长率小于10%，而需求方面的位成长率则是小于20%。
杨雅欣预估，全球DRAM的产能将维持稳定的年成长率，同时50nm制程的转换是供给方面成长的关键因素。她进一步指出，2010年可能会出现DRAM供给方面位成长率达到20%或30%的情况，而需求方面的位成长率仍小于20%，原因是微软新操作系统Windows7较低的内存用量，以及PC市场的变动。
杨雅欣进一步指出，若DRAM转移到DDR3规格的需求速度加快，超过DDR3供应方面产能，这种情况下会造成DDR3供给的短缺现象，有助于2010年平均产品单价(ASP)的成长。
集邦科技NAND Flash分析师陈有裕(Wayne Chen)则指出，在2009上半年供货商方面采取减产计划，加上中国市场需求的适时带动，NAND Flash价格已经从2008年的重挫下复原回来，止跌并回升到芯片成本附近。
他预估2009年NAND Flash需求会逐渐回温，供货商产能与新技术也会做出调整，并藉由SSD等新应用扩大应用领域，让市场供需状况趋于平衡。他也预估从2009年开始到 2012年，全球NAND Flash产值的年成长率会持续攀升，2012年时年成长率将近3成。
快闪记忆卡供货商新帝 (SanDisk)全球产品营销总监Doreet Oren在该研讨会也表示，提出该公司在SSD领域长期耕耘的心得与看法，特别是Netbook的市场趋势、SSD效能方面的挑战，以及探究SSD的典型使用情境。并预计电信搭售Netbook需求量将在2010年暴增。
Sandisk也于本次研讨会中介绍了nCache技术，可提升SSD效率，以及量测SSD的新指标vRPM，认为高IOPS (每秒输出入能力)才会有更佳的使用者经验。
SSD控制芯片供货商智微科技(JMicron)执行长刘立国则在论坛发表演说，分享来自于储存设备控制器厂商的观点，从SSD效能根本的关键与可能衍生的问题着手，提供关于SSD应用与设计第一手的情报。
该公司预估SSD的传输接口会继续往上，NAND Flash制程除了进步到3X nm为主流外，还会到2X NM，控制IC对于Flash芯片的兼容性很重要，同时也必须提高ECC容错能力到15bit或24bit。
此外硬盘厂日立环球储存科技(Hitachi GST)台湾地区及上海区总经理刘士维表示，企业级储存系统的金字塔顶是SSD，其次是重要应用所需的2.5寸1.5万转SAS系统、日常应用所需的2.5寸或3.5寸7,200转SATA/SAS，最后是储存备份用的磁带、光学硬盘储存装置。 | 
